垂直磁场中交流驱动调制的二维电子气中的光电导

在这项工作中，我们研究了在磁场和二维调制（2D）存在下二维电子系统（2DES）的微波光电导。该模型以非微扰的精确方式包含微波和朗道贡献，周期势被微扰处理。朗道-弗洛凯态提供了一个方便的基，相对于该基，晶格势变得与时间相关，从而诱导朗道-弗洛凯能级之间的跃迁。基于这一形式，我们提供了一个考虑问题振荡弗洛凯结构的类久保公式。总纵向电导率和电阻率表现出强烈的振荡，由$\epsilon = \omega / \omega_c$决定，其中$\omega$是辐射频率，$\omega_c$是回旋频率。振荡遵循一种模式，最小值中心位于$\omega/\omega_c =j + {1/2} (l-1) + \delta$，最大值中心位于$\omega/\omega_c =j + {1/2} (l-1) - \delta$，其中$j=1,2,3.......$，$\delta \sim 1/5$是常数位移，$l$是主导多极贡献。随着电子迁移率和微波功率强度的增加，会出现负电阻态（NRS）。这些NRS出现在晶格参数（$a$）值的狭窄窗口区域内，大约在$a \sim l_B$附近，其中$l_B$是磁长度。提出这些现象可以在超净$GaAs/Al_xGa_{1-x} As$异质结构界面处人工制造的周期散射体阵列中观察到。