一维介观环中的持续电流与低场磁化率：长程跳跃的影响

在紧束缚框架下，考虑电子在{\em 最短}路径上的长程跳跃，研究了由磁通量 $\phi$ 贯穿的单通道正常金属环中的持续电流和低场磁化率。高阶跳跃积分通过离域化能量本征态来减少无序的影响，因此，无序环中的电流幅度变得与有序环相当。我们对低场磁化率的研究预测，在电子数固定的介观环中，即使环中存在杂质，也能精确确定持续电流的符号。对于完美环，无论电子总数 $N_e$ 如何，低场电流仅显示抗磁符号。另一方面，在无序环中，对于具有奇数 $N_e$ 和偶数 $N_e$ 的环，它分别表现出抗磁和顺磁性质。