Geant4 在模拟 1 MeV 以下能区半导体粒子探测器响应中的性能
仪器与探测器
2013-08-23 v1 核实验
摘要
Geant4 模拟在为标准模型提供低能精密测试的实验分析与解释中起着至关重要的作用。本文聚焦于 100 至 1000 keV 能区内电子过程描述的准确性。研究了不同模拟参数和多重散射模型对背散射系数的影响。将 HPGe 和钝化注入平面硅探测器对 \beta{} 粒子响应的模拟结果与实验结果进行了对比。发现 Geant4 模拟与实验数据总体吻合良好。
引用
@article{arxiv.1306.4538,
title = {Performance of Geant4 in simulating semiconductor particle detector response in the energy range below 1 MeV},
author = {G. Soti and F. Wauters and M. Breitenfeldt and P. Finlay and I. S. Kraev and A. Knecht and T. Porobic and D. Zákoucký and N. Severijns},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.4538},
year = {2013}
}