掠入原子istic和连续描述之间：铼素中纳米尺度位错环

为了预测辐射对铼素材料性能的长期影响，提出了一种连续方法，用于模拟位错环（即辐射损伤产生的位错）的相互作用。位错环产生的位移、应变和应力场的连续模型在缺陷核心附近 exhibits unphysical 的奇点，但被认为准确地捕捉原子istic 位移在远场的行为。我们发展了铼素中纳米尺度位错环的线性弹性模型，并通过原子istic 模拟进行验证，以确保模型受低长度尺度现象的启发，从而正确地捕捉问题的物理。我们讨论了该模型及其优势，表明当位错环远离材料边界时，原子istic 模拟的预测确实与连续模型的远场行为良好一致。特别是，我们稳健地证明了原子istic 结果和连续结果的衰减速率相互吻合，并表明当原子istic 模拟规模趋近于远场限制时，结果会收敆。