自旋依赖Fano效应导致T型双量子点中的完美自旋极化
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们研究了耦合到铁磁引线的T型双量子点的自旋分辨输运性质。利用数值重整化群方法，我们计算了不同模型参数和温度下的线性电导和电流自旋极化。我们表明，由于铁磁体的存在而产生的有效交换场导致每个自旋通道中Fano相消干涉的条件不同。Fano效应的这种自旋依赖性导致了完美的自旋极化，其符号可以通过调节量子点的能级来改变。大的自旋极化源于未直接耦合到引线的量子点中的库仑关联，而直接耦合的量子点中的有限关联可以进一步增强这种效应。此外，我们用基于零温电导解析表达式的简单定性解释补充了精确的数值结果。所提出的器件提供了一个无需外部磁场即可工作的电控全自旋极化电流源的前瞻性示例。
引用
@article{arxiv.1409.5288,
title = {Perfect spin polarization in T-shaped double quantum dots due to the spin-dependent Fano effect},
author = {K. P. Wojcik and I. Weymann},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.5288},
year = {2015}
}