具有单一架构的Penning阱用于存储高电荷离子
仪器与探测器
2012-02-29 v1 原子物理
摘要
通过将稀土永磁体嵌入电极结构，使Penning阱变得极其紧凑。轴向取向的NdFeB磁体用于单一架构，将电和磁组件耦合到集成结构中。我们构建了一个双磁体Penning阱，具有径向通道，以便使用激光或原子束以及收集光。在NIST电子束离子阱(EBIT)设施安装了一个配备离子光学的实验装置，限制在水平束线末端1米内，用于传输高电荷离子。提取初始能量高达每单位电荷4000 eV的氖和氩高电荷离子，被捕获和存储以研究单磁体阱和双磁体阱的约束特性。讨论了设计考虑和一些测试结果。
引用
@article{arxiv.1202.6276,
title = {Penning traps with unitary architecture for storage of highly charged ions},
author = {Joseph N. Tan and Samuel M. Brewer and Nicholas D. Guise},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6276},
year = {2012}
}