从 B 到超 B 工厂的干净 γ(φ₃) 路径
高能物理 - 唯象学
2014-11-17 v2
摘要
考虑各种确定 γ 的方法，这些方法源于带电和中性 B 介子衰变中 b→c 和 b→u 过程直接 CP 破坏的干涉。我们表明通过 B→KD*0 过程产生的 D0（来自 D*0→D0+π₀(γ)）的包含会显著提高 γ 的可达精度。B⁺ 和 B⁰ 到包含 D0/D0̄ 的态上的 exclusive 和 inclusive 衰变被讨论，随后 D0 的 exclusive 和 inclusive 衰变也被讨论。在 B 工厂中可能获得的统计量（5-10×10⁸ B-粒子对）下，γ 的 1 σ 测定约为 ±5° 是可能的，这取决于重建效率、背景以及涉及的衰变振幅细节。charm 工厂的数据以及 D0 混合效应被讨论。γ 的提取精度与这些方法的固有理论误差（约 0.1%）大致相当，这是一项重要的目标，需要超过 10¹⁰ 个 B-粒子对，即超 B 工厂。
引用
@article{arxiv.hep-ph/0312100,
title = {Pathways to a clean gamma (phi3): From B to Super B-factories},
author = {David Atwood and Amarjit Soni},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-ph/0312100},
year = {2014}
}
备注
20 Pages, 10 Figures, a new figure and references added