被动调Q二极管泵浦Cr4+:YAG/Nd3+:GdVO4单片微芯片激光器
光学
2007-05-23 v1
摘要
实现高重复率被动调Q单片微型激光器是近十年来的一个挑战。为实现这一目标，我们在此报道了首个基于Nd:GdVO4晶体与Cr4+:YAG可饱和吸收体相结合的被动调Q二极管泵浦微芯片激光器。单片设计由1毫米长、1%掺杂的Nd:GdVO4与0.4毫米长的Cr4+:YAG光学接触构成，形成平-平腔。实现了高达85 kHz的重复率。在2.2 W吸收泵浦功率下，平均输出功率约为400 mW，脉冲宽度为1.1 ns。
引用
@article{arxiv.physics/0609255,
title = {Passively Q-switched diode-pumped Cr4+:YAG/Nd3+:GdVO4 monolithic microchip laser},
author = {Sebastien Forget and Frederic Druon and Francois Balembois and Patrick Georges and Nicolas Landru and Jean Philippe Feve and Jiali Lin and Zhiming Weng},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0609255},
year = {2007}
}