中文

ZrTe$_5$中的平行磁场霍尔效应

材料科学 2025-08-21 v1 介观与纳米尺度物理 强关联电子

摘要

平行磁场霍尔效应是指在磁场BB与电流II平行施加(即BIVHB \parallel I \perp V_{\rm H})时,出现横向于电流的霍尔电压VHV_{\rm H}。这种效应在大多数情况下是对称性禁戒的,因此非常不寻常。有趣的是,在层状拓扑半金属ZrTe5_5中已报道存在有限的平行磁场霍尔效应,并被归因于贝里曲率。然而,对于ZrTe5_5的已知对称性这是禁戒的,且可能存在的偏离面外磁场也未被完全排除。在这里,我们通过仔细对齐磁场阐明了ZrTe5_5中平行磁场霍尔效应的存在。我们将该结果解释为源于对称性破缺,并通过考虑由对称性破缺所允许的费米面倾斜,定量解释了所观察到的平行磁场霍尔信号。

关键词

引用

@article{arxiv.2408.11113,
  title  = {Parallel-Field Hall effect in ZrTe$_5$},
  author = {Yongjian Wang and Thomas Boemerich and A. A. Taskin and Achim Rosch and Yoichi Ando},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2408.11113},
  year   = {2025}
}

备注

9 pages total; 6 pages of main text with 3 figures, 3 pages of supplement with 2 figures. The raw data are available at the online depository Zenodo with the identifier 10.5281/zenodo.13350894