ZrTe$_5$中的平行磁场霍尔效应
材料科学
2025-08-21 v1 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
平行磁场霍尔效应是指在磁场与电流平行施加(即)时,出现横向于电流的霍尔电压。这种效应在大多数情况下是对称性禁戒的,因此非常不寻常。有趣的是,在层状拓扑半金属ZrTe中已报道存在有限的平行磁场霍尔效应,并被归因于贝里曲率。然而,对于ZrTe的已知对称性这是禁戒的,且可能存在的偏离面外磁场也未被完全排除。在这里,我们通过仔细对齐磁场阐明了ZrTe中平行磁场霍尔效应的存在。我们将该结果解释为源于对称性破缺,并通过考虑由对称性破缺所允许的费米面倾斜,定量解释了所观察到的平行磁场霍尔信号。
引用
@article{arxiv.2408.11113,
title = {Parallel-Field Hall effect in ZrTe$_5$},
author = {Yongjian Wang and Thomas Boemerich and A. A. Taskin and Achim Rosch and Yoichi Ando},
journal= {arXiv preprint arXiv:2408.11113},
year = {2025}
}
备注
9 pages total; 6 pages of main text with 3 figures, 3 pages of supplement with 2 figures. The raw data are available at the online depository Zenodo with the identifier 10.5281/zenodo.13350894