快信号控制下的量子存储保护与绝热性诱导综述
量子物理
2016-10-21 v1
摘要
量子存储器或信息处理设备易受周围环境干扰，或因与其他系统接触而产生不可避免的泄漏。为解决这些问题，人们提出了多种针对量子存储器或存储的控制协议。其中，基于外部脉冲序列的快信号控制或动力学解耦提供了一种主流策略，旨在抑制退相干并防止目标系统发生泄漏或扩散过程。本文综述了该协议在非马尔可夫耗散噪声下保护量子存储器，以及使系统维持在无泄漏的有限速度绝热路径上的应用。我们分析了包括二阶主方程、量子态扩散方程以及源自 Feshbach PQ-分割技术的单分量主方程在内的泄漏与控制微扰及非微扰动力学方程。结果表明，快调制信号控制的质量对外加脉冲序列的构型不敏感。具体而言，只要控制序列能够有效地将系统移至浴截止频率之外，退相干和泄漏将得到极大抑制，这几乎与控制序列的细节（无论是理想脉冲、规则矩形脉冲、随机脉冲甚至噪声脉冲）无关。
引用
@article{arxiv.1412.1783,
title = {Overview of Quantum Memory Protection and Adiabaticity Induction by Fast-Signal Control},
author = {Jun Jing and Lian-Ao Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1783},
year = {2016}
}