外磁层模型用于Vela类脉冲星：亚GeV谱的形成

我们研究了来自脉冲星外磁层中位于外间隙的$\gamma$-射线辐射。从金氏-朱利亚密度中引起的电荷耗尽导致沿磁场线的大型电场。电场加速电子和正电子加热至高能。我们沿磁场线在一维几何中自一致地求解电场的形成，并与辐射和偶极子创建过程相结合，计算曲率谱以与观测结果进行比较。我们发现由于粒子以$10^{7.5}$的大洛伦兹因子逃逸加速区，来自无电场区域（即间隙外部）的曲率辐射仍对谱系贡献重要。在考虑间隙外部辐射后，模型谱在100 MeV至1 GeV范围内针对Vela类脉冲星得到改善。由于靠近光柱面（light cylinder）处的场线曲率影响数百MeV的谱系，可能通过这些波段的谱系来诊断场结构。从双胞胎脉冲星（PSR B0833-45（Vela）和B1706-44）的$\gamma$-射线谱差异推导出的是间隙中运行的无量纲电流。对于理解双胞胎脉冲星观测通量差异，必须拓展到具有自一致电动力学的三维建模。