阈上电离中低能结构的起源
原子物理
2015-06-10 v1
摘要
我们提出了一个从头算解析理论，以解释阈上电离的极低能结构(VLES) [C. Y. Wu et al., Phys. Rev. Lett. 109, 043001 (2012); W. Quan et al., Phys. Rev. Lett. 103, 093001 (2009)]和低能结构(LES) [W. Quan et al. Phys. Rev. Lett. 103, 093001 (2009); C.I. Blaga et al., Nat. Phys. 5, 335 2009)]。VLES和LES的起源均在于库仑势的前向散射机制。我们用?参数化S矩阵，?是电子在激光场中经典运动的位移。当? = 0时，S矩阵是奇异的，我们将其归因于无光量子吸收的前向库仑散射。通过设计正则化方案，所得S矩阵在? = 0时非奇异，并揭示了VLES和LES的起源。我们将VLES归因于近阈值电子被库仑势的多重前向散射，且无光量子吸收，标志着库仑阈值效应的作用。我们将LES归因于库仑阈值效应与库仑势在前向方向上的重散射（伴随光量子吸收）的共同作用。理论与实验的比较证实了这些结论。此外，最近Dura et al. [Sci. Rep. 3, 2675 (2013)]报道了在近零动量处探测到慢电子，能量为1.3 meV，远低于VLES，几乎处于阈值。我们的理论公式给出了近零动量和阈值处的慢电子。另外，对于圆偏振场，它守恒电离过程中的角动量，这使得VLES、LES以及阈值附近的慢电子必然消失。
引用
@article{arxiv.1506.03034,
title = {Origin of the Low Energy Structure in Above Threshold Ionization},
author = {Atef S. Titi and Gordon W. F. Drake},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.03034},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 2 figures and a supplement