三元氮化物半导体合金中的有序化
材料科学
2015-03-19 v2
摘要
我们对氮化物三元合金 GaInN、AlInN 和 AlGaN 中的有序化现象进行了深入的理论研究。利用蒙特卡罗方法和基于 Keating 模型的能量学，我们分析了各种因素对体晶体和外延层中有序化的影响。我们表征了不同组分、温度以及不同外延应变衬底下的短程有序 (SRO) 和长程有序 (LRO) 程度。对于 SRO 的描述，使用了与前四个配位壳层相关的 Warren-Cowley 参数。LRO 通过引入的基于 Bragg-Williams 方法的 sim-LRO 参数来检测。随后给出了观察到的长程有序模式及其出现条件的描述。
引用
@article{arxiv.1108.2447,
title = {Ordering in ternary nitride semiconducting alloys},
author = {Michal Lopuszynski and Jacek A. Majewski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.2447},
year = {2015}
}