边缘处电子巡游轨道运动的轨道Edelstein效应

在轨道角动量（OAM）的研究中，重点一直放在原子内贡献上。然而，最近的研究已开始转向探索OAM动力学的原子间贡献。在本文中，我们研究了由边缘处原子间OAM产生的轨道Edelstein效应（OEE）。我们探索了边缘态中的OAM纹理，并利用几个基于s轨道的晶格模型揭示了边缘处的OAM积累。通过比较具有不同形状边缘的薄片，我们不仅阐明了电子摆动运动在塑造OAM纹理中的作用，还强调了积累过程中体边对应关系的缺失。拓扑绝缘体和高阶拓扑绝缘体模型进一步证实了这些发现，并为高阶拓扑与OEE之间的关系提供了证据。本研究推进了对轨道物理的理解，并将其范围扩展至高阶拓扑绝缘体。