纳米结构 GaSb 的光学性质

本文介绍了通过溅射法制备的纳米结构 GaSb 的光学测量结果。利用穆勒矩阵椭圆偏振术 (MME) 在可见光范围 (430--850nm) 内，以及利用光谱椭圆偏振术在 0.6--6.5eV 范围内研究了其光学响应。本工作报告的纳米结构表面由体相 GaSb 上密集堆积的、高度约为 50nm 的 GaSb 圆锥体组成。研究表明，纳米结构表面能显著改变表面的光学响应，从而对远场光谱（穆勒矩阵）椭圆偏振测量表现出强烈的敏感性。发现非镜面散射和退偏振程度较低。通过研究与表面法线倾斜约 45 度的纳米结构 GaSb 圆锥体，特别强调了各向异性响应。在后一种情况下，观察到当样品绕表面法线旋转时，穆勒矩阵元 $m_{13}$ 和 $m_{14}$ 随旋转角度振荡。最后，应用穆勒矩阵技术对测量数据进行了处理，以便从物理可实现性和噪声方面分析所获得的穆勒矩阵。