二维拓扑绝缘体中量子自旋霍尔效应的单电子理论
介观与纳米尺度物理
2013-02-05 v1 材料科学
摘要
近期我们撰写了一篇关于二维 (2D) 拓扑绝缘体 (TIs) 中量子自旋霍尔效应 (QSHE) 理论的论文，但审稿人认为该工作在单电子图像下并未为已得到详尽研究的拓扑绝缘体课题增添多少新见解。在本文中，我们回顾了那些对理解 QSHE 机制产生重大影响的论文。通过阐明先前工作的不足，我们表明我们的论文确实为该课题提供了一个不同的视角，我们认为这不仅是新的，而且是在单电子层面上解决该问题的正确途径。
引用
@article{arxiv.1302.0345,
title = {On the single-electron theory of quantum spin Hall effect in two dimensional topological insulators},
author = {Yi-Dong Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0345},
year = {2013}
}