基于修饰量子阱的太赫兹发光二极管的可能性
介观与纳米尺度物理
2019-11-11 v1
摘要
我们从理论上考虑在高度掺杂 p-n 结中放置含修饰电子的量子阱来实现可调太赫兹发光二极管。在所考虑系统中，强共振修饰场在价带和导带中形成动态 Stark 能隙，而 p-n 结内电场使量子阱非对称。结果表明，电子穿过导带中光诱导 Stark 能隙时发射的光子能量与修饰场成正比。该方案可调、紧凑且效率尚可。
引用
@article{arxiv.1911.03286,
title = {On the possibility of a terahertz light emitting diode based on a dressed quantum well},
author = {S. Mandal and K. Dini and O. V. Kibis and T. C. H. Liew},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.03286},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures