外磁场下高纯 I 类超导体中间态结构参数研究
超导电性
2012-08-06 v1
摘要
利用频率为 30 MHz 的纵向超声信号衰减法，研究了在温度 T=0.4 K 及外磁场 Hext 下，高纯镓单晶中间态的几何结构。实验表明，磁场分布的边缘不均匀性影响了横向外磁场 Hext 取向下圆柱形超导体样品中的中间态结构。结果表明，使用 NbZr 超导平面屏蔽层可逼近无限长圆柱体的平衡中间态结构，这一点得到了高纯 Ga 单晶在 T=0.4 K 温度下施加频率为 30 MHz 的纵向超声信号时，正常金属层厚度 aN 随外磁场大小 aN(Hext) 变化的实验依赖关系的证实。在外磁场 Hext 下，高纯 I 类超导体中间态结构的实验获得特征参数与 Landau 理论结果具有部分定性一致性。
引用
@article{arxiv.1208.0723,
title = {On the parameters of intermediate state structure in high pure type I superconductors at external magnetic field},
author = {Oleg P. Ledenyov and Vasiliy P. Fursa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0723},
year = {2012}
}
备注
5 pages, 3 figures. http://fnte.ilt.kharkov.ua/join.php?fn=/fnt/pdf/11/11-1/f11-0057r.pdf