关于超导/铁磁异质结构中顺磁迈斯纳效应的解释
超导电性
2016-12-21 v2
摘要
利用SQUID磁强计，在平行于样品表面施加10 Oe至50 Oe磁场、冷却至超导转变温度Tc以下时，观察到超导/铁磁(S/F)双层膜V(40nm)/F [FFe(1,3nm), Co(3nm), Ni(3nm)]中磁矩的增加。此前在各种超导体和超导/铁磁系统中也观察到类似增加，常称为顺磁迈斯纳效应(PME)。为解释所述S/F双层膜中的PME效应，提出了一种基于位于S/F界面处一排涡旋的模型。根据该模型，Tc以下诱导的磁矩由涡旋核的顺磁贡献和S层无涡旋区的抗磁贡献组成。由于发现S层厚度比磁场穿透深度小3-4倍，后者的抗磁贡献可忽略。该模型正确解释了铁磁/超导双层膜经过超导转变时诱导磁矩的顺磁和迈斯纳贡献的符号、近似大小以及场依赖性。
引用
@article{arxiv.1607.07341,
title = {On the Explanation of the Paramagnetic Meissner Effect in Superconductor/Ferromagnet Heterostructures},
author = {B. Nagy and Yu. Khaydukov and D. Efremov and A. S. Vasenko and L. Mustafa and J. -H. Kim and T. Keller and K. Zhernenkov and A. Devishvili and R. Steitz and B. Keimer and L. Bottyan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07341},
year = {2016}
}