关于原子芯片上利用 U 型线四极场加载磁光阱的研究
原子物理
2018-10-17 v2
摘要
我们研究了原子芯片上 U 型线产生的类四极磁场构型对磁光阱（MOT）中冷 原子加载的作用。模拟表明，四极场分布及四极场中心随 U 型线电流与偏置场值而变化。模拟结果显示，所产生场构型与理想四极场的相似程度关键取决于 U 型线电流与偏置磁场的值。观测到的 MOT 中俘获原子数及其位置也被发现依赖于四极场构型。当场构型接近理想四极场时，MOT 中俘获原子数达到最大。本研究将有助于在将这些冷原子转入原子芯片线阱前优化 MOT 中的原子数。
引用
@article{arxiv.1801.09461,
title = {On loading of a magneto-optical trap on an atom-chip with U-wire quadrupole field},
author = {Vivek Singh and V. B. Tiwari and K. A. P. Singh and S. R. Mishra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09461},
year = {2018}
}