弯曲纳米膜中非线性霍尔效应实现按需高次谐波产生

高阶霍尔效应超越了普通霍尔效应，开启了电子输运性质和功能性的更多可能性。先驱工作集中于制造具有低晶格对称性的复杂纳米结构来产生它们。在本文中，我们从理论上证明，这种高阶霍尔效应可以通过弯曲导电纳米膜来替代性地产生，这种纳米膜高度可调且具有各向异性。其霍尔响应可以通过简单地改变外加磁场的方向和大小从一阶调到四阶。主导霍尔电流频率也可以从零变为外加交变电场频率的两倍甚至四倍。这种现象关键依赖于与弯曲几何诱导的有效磁偶极子和四极子相关的高阶蛇形轨道的出现。我们的结果为在弯曲导电纳米膜中空间工程化磁输运、电流整流和倍频提供了途径。