片上全介电制造容差零折射率超材料
光学
2017-04-26 v1
摘要
零折射率超材料(ZIMs)提供了操纵光流的空前方式，并且在包括光学隐身、超耦合以及非线性光学中非传统相位匹配特性等广泛应用中引人关注。阻抗匹配的 ZIMs 可通过光子狄拉克锥(PDC)色散获得，该色散由布里渊区中心处两个线性能带——通常为电单极模式和横向磁偶极模式——的偶然简并诱发。因此，PDC 只能对超材料几何参数的特定组合实现，从而对制造缺陷敏感。这些制造缺陷可能限制实际应用的效用。本工作中我们克服此障碍，展示了在宽参数空间支持 PDC 色散的稳健全介电(AD) ZIM。我们的结构由二氧化硅衬底上的硅柱阵列构成，在绝缘体上硅(SOI)平台制造，并在通信波长工作。
引用
@article{arxiv.1608.05488,
title = {On-chip all-dielectric fabrication-tolerant zero-index metamaterials},
author = {Shota Kita and Yang Li and Philip Muñoz and Orad Reshef and Daryl I. Vulis and Robert W. Day and Eric Mazur and Marko Lončar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.05488},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 6 figures