观测相干驱动位点控制量子点的共振荧光与Mollow三重态

固态量子发射体的共振激发有潜力确定性地激发局域激子，同时确保最大相干发射。在这项工作中，我们展示了光刻定位的位点控制半导体量子点中局域激子与外部共振激光场的相干耦合。对于强连续波驱动，我们观察到特征的Mollow三重态，并分析了拉比分裂和边带宽度作为驱动强度和温度的函数。边带宽度随温度线性增加，并随驱动强度的平方增加，我们通过激子与纵向声学声子的耦合解释此现象。我们还发现拉比分裂随温度增加，这表明温度引起的激子波函数离域导致振子强度增加。最后，我们通过脉冲共振激发演示了激子激发态布居的相干控制，并观察到随着脉冲面积增加的拉比振荡阻尼，这与我们的激子-光子耦合模型一致。我们相信我们的工作勾勒了实现完全可扩展固态量子发射体平台的可能性。后者是用于更先进的集成纳米光子量子电路的关键先决条件之一。