NLC 上 $e^- e^+ \to t \bar{t}$ 过程中自旋关联的 $O(\alpha_s)$ QCD 修正

使用一般自旋基，我们提出了在下一代直线对撞机（NLC）上顶夸克对产生中自旋关联的单圈辐射修正的一般形式，并在软胶子近似下计算了 $O(\alpha_s)$ QCD 修正。我们发现： 在非对角基中，对于 $\sqrt{s}=400$ GeV 和 1 TeV，$e_L^- e^+$（$e_R^- e^+$）散射过程的 $O(\alpha_s)$ QCD 修正使主导自旋分量 $t_{\uparrow}\bar{t}_{\downarrow}$（$t_{\downarrow}\bar{t}_{\uparrow}$）的微分截面分别增加了约 30% 和约 0.1%-3%，具体取决于散射角； 在非对角基（螺旋度基）中，对于 $\sqrt{s}=400$ GeV，主导自旋分量在树图和单圈水平均占总截面的 99.8%（约 53%），因此在包含 $O(\alpha_s)$ QCD 修正后，非对角基仍然是最佳自旋基。