Fluxonium量子比特中准粒子诱导耗散的数值模拟

由杂散红外和电离辐射产生的非平衡准粒子（QPs）会限制超导量子处理器的性能，并对量子纠错方案构成挑战。QP诱导能量弛豫的模型通常假设QP的特征能量和量子比特跃迁能量都远小于超导能隙。在这些假设下，某些量子比特（如fluxonium）在特定偏置点会表现出对QP诱导耗散的保护。在此，我们表明情况并非一定如此，我们数值分析了不同QP能量分布以及通过光子辅助隧穿过程产生的QP对fluxonium量子比特中QP诱导耗散速率的预测。我们发现，考虑到小的数值因子，现有理论模型预测在先前被认为受保护的偏置点对QP诱导误差敏感。我们发现，在结上包含超导能隙能量的不对称性可以重新引入对QP诱导弛豫的抑制，正如预期的那样。此外，对于由光子辅助隧穿产生的QP，我们预测$T_1$保护只会发生在特定能量的破对辐射下。对fluxonium对QP诱导耗散敏感性的这种理解，为基于fluxonium的处理器的开发以及未来的QP缓解策略提供了信息。