重掺杂Ba$_{1-x}$K$_{x}$Mn$_{2}$As$_{2}$中的新型弱铁磁金属态

成功生长了重掺杂Ba$_{1-x}$K$_{x}$Mn$_{2}$As$_{2}$（$x$=0.19和0.26）单晶，并通过电阻率和各向异性磁化率测量进行了研究。与未掺杂BaMn$_{2}$As$_{2}$的反铁磁绝缘基态相反，K掺杂晶体在~50 K以下表现出具有弱铁磁性的金属导电性，并在~50 K以上表现出类居里-外斯的平面内磁化率。在高达6 GPa的高压下，低温金属性转变为以类近藤电阻率极小值为特征的状态，且在2.5 K以上无超导迹象。使用$2\times2\times1$超胞对$x$=0.25进行的电子结构计算再现了空穴掺杂金属态。费米能级处的态密度具有显著的As 4$p$成分，表明4$p$空穴主要负责金属导电性。我们的结果表明，巡游4$p$空穴与局域3$d$矩之间的相互作用是新型金属态的主要原因。