产生非零 RMS 磁阻的 CrTe2 单层控制空间划分
综合物理
2025-04-08 v1
摘要
自 2017 年发现 CrI3 和 Cr2Ge2Te6 等二维（2D）磁性材料以来，低维系统中磁现象的研究得到了广泛探索。由于磁晶各向异性能，这些材料表现出本征磁序，克服了 Mermin-Wagner 定理预测的限制。其中，CrTe2 作为一种范德华二维磁体，因其面内各向异性磁阻（AMR）和高居里温度而引起了广泛关注。本研究在自旋电子学应用的背景下探讨了 CrTe2 单层的磁场调控电阻。利用先前模拟中获得的锯齿状有序参数，我们研究了外部磁场如何影响电阻状态并控制纳米器件的 ON/OFF 状态。分析表明，特定的磁场构型，特别是 (0, 0, Bz) 形式即面外指向的场，会产生非零的均方根电阻，表明其处于功能性的 ON 状态。这为自旋电子学器件中的磁控电流调节提供了一种新方法。实验结果还揭示了在 z 方向磁场下 CrTe2 中存在有趣的 spin-flop 跃迁，导致 y 方向的磁化。这一现象加上该材料稳健的磁学性质，使 CrTe2 成为下一代存储和逻辑器件的有力候选者。通过增进对二维磁性材料中磁场调控的理解，本研究为开发节能的自旋电子学技术开辟了新途径。
引用
@article{arxiv.2503.22750,
title = {Nonzero RMS Magnetoresistance Yielding Control Space Partition of CrTe2 Monolayer},
author = {Chee Kian Yap and Arun Kumar Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.22750},
year = {2025}
}