Sb 掺杂拓扑绝缘体 MnBi4Te7 中的非线性霍尔效应与标度律
材料科学
2024-04-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
非线性霍尔效应（NLHE）作为霍尔效应家族的新成员，已在多种材料中实现，引起了广泛关注。本文报道了在磁性拓扑绝缘体 Sb 掺杂的 MnBi4Te7 薄片中观察到 NLHE。NLHE 的产生效率可达 0.06 V^-1，与在 MnBi2Te4 中观察到的结果相当。不同的是，该 NLHE 可维持至 200 K，远高于磁转变温度。我们进一步研究了 NLHE 与纵向电导率的标度行为。揭示了在磁转变温度上下，两者具有斜率相反的线性关系。这表明 NLHE 源于斜散射。我们的工作为在更高温度下寻找具有更大产生效率的 NLHE 提供了一个平台。
引用
@article{arxiv.2404.06005,
title = {Nonlinear Hall effect and scaling law in Sb-doped topological insulator MnBi4Te7},
author = {Shaoyu Wang and Xiubing Li and Heng Zhang and Bo Chen and Hangkai Xie and Congcong Li and Fucong Fei and Shuai Zhang and Fengqi Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.06005},
year = {2024}
}