高度无序石墨烯中载流子输运的非欧姆行为
介观与纳米尺度物理
2013-10-29 v2 无序系统与神经网络
材料科学
强关联电子
摘要
我们报告了在高电场和高磁场下对无序石墨烯的测量结果。通过施加高源漏电压 Vsd，我们能够研究器件的电流 - 电压关系 I-Vsd。随着 Vsd 的增加，出现了从线性 I-Vsd 区域到非线性区域，最终到无激活跳跃输运的转变。在无激活跳跃区域，证明了带电载流子之间库仑相互作用的重要性。此外，我们表明，在强电场和垂直磁场存在的情况下，那些在低温 T 和小 Vsd 下被强局域化的载流子会发生退局域化。
引用
@article{arxiv.1310.6086,
title = {Non-Ohmic behavior of carrier transport in highly disordered graphene},
author = {Shun-Tsung Lo and Chiashain Chuang and R. K. Puddy and T. -M. Chen and C. G. Smith and C. -T. Liang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.6086},
year = {2013}
}
备注
Reported by nanotechweb.org. Two references added