电压偏置下Kondo模型的非平衡标度分析
强关联电子
2010-03-22 v1
摘要
平衡态Kondo物理的经典描述通过标度图像获得，该图像展示了低温下Kondo屏蔽的建立。对于具有电压偏置的非平衡Kondo模型，关键的新特征是杂质电流引起的退相干效应。在本文中，我们展示了如何在无穷小幺正变换（流方程）的标度图像中发展一个研究非平衡Kondo模型的统一框架。退相干效应自然出现在β函数的第三阶，并在足够大的电压偏置下主导哈密顿量流。我们计算了非平衡态的自旋动力学，并将其与有限温度平衡态结果进行比较。特别地，我们报告了静态自旋磁化率的行为，包括领头对数修正，并将其与作为温度函数的著名平衡态结果进行比较。
引用
@article{arxiv.0811.0759,
title = {Non-Equilibrium Scaling Analysis of the Kondo Model with Voltage Bias},
author = {Peter Fritsch and Stefan Kehrein},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.0759},
year = {2010}
}
备注
22 pages, 15 figures