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FeAs 基材料中的节点自旋密度波与能带拓扑

超导电性 2009-03-15 v4 强关联电子

摘要

最近发现的 FeAs 基材料在未掺杂态表现出(π,0)(\pi,0)自旋密度波 (SDW),掺杂后转变为超导态。在此我们表明,由于能带结构的一个有趣拓扑特征,SDW 态无法获得完全能隙。这一点在简化双带模型和更现实的五带模型的 SDW 平均场理论中均得到了证实。节点位置在两个模型中有所不同,可用于检测每个模型的有效性。

关键词

引用

@article{arxiv.0805.3535,
  title  = {Nodal Spin Density Wave and band topology of the FeAs based materials},
  author = {Ying Ran and Fa Wang and Hui Zhai and Ashvin Vishwanath and Dung-Hai Lee},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0805.3535},
  year   = {2009}
}

备注

rewritten for clarity