PbSe中本征缺陷的NMR研究
材料科学
2015-06-23 v1
摘要
尽管PbSe中每种原子物种对应于单一的结晶学位点,且输运测量揭示出单一的载流子密度,但Pb NMR揭示出比先前认为的更为复杂的图像,其包含三个离散的均匀载流子组分,每个组分与型或型载流子分数相关。从这些分数起源出发,结合本征半导体的电子异质性进行了讨论。通过涨落自旋-旋转相互作用实现的核自旋与晶格振动之间的相互作用机制(适用于重自旋-1/2核[Phys. Rev. B 74, 214420 (2006)])并不成立。相反,高阶温度依赖性主导了弛豫路径。带隙中的浅受主态和深能级缺陷解释了直接带隙的复杂温度依赖性。
引用
@article{arxiv.1506.06336,
title = {NMR study of native defects in PbSe},
author = {Dimitrios Koumoulis and Robert E. Taylor and Danny King and Louis-S. Bouchard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.06336},
year = {2015}
}
备注
29 pages, 10 figures