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PbSe中本征缺陷的NMR研究

材料科学 2015-06-23 v1

摘要

尽管PbSe中每种原子物种对应于单一的结晶学位点,且输运测量揭示出单一的载流子密度,但207^{207}Pb NMR揭示出比先前认为的更为复杂的图像,其包含三个离散的均匀载流子组分,每个组分与nn型或pp型载流子分数相关。从这些分数起源出发,结合本征半导体的电子异质性进行了讨论。通过涨落自旋-旋转相互作用实现的核自旋与晶格振动之间的相互作用机制(适用于重自旋-1/2核[Phys. Rev. B 74, 214420 (2006)])并不成立。相反,高阶温度依赖性主导了弛豫路径。带隙中的浅受主态和深能级缺陷解释了直接带隙的复杂温度依赖性。

关键词

引用

@article{arxiv.1506.06336,
  title  = {NMR study of native defects in PbSe},
  author = {Dimitrios Koumoulis and Robert E. Taylor and Danny King and Louis-S. Bouchard},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1506.06336},
  year   = {2015}
}

备注

29 pages, 10 figures