高分辨率H波段光谱的NLTE分析. I. 中性硅
太阳与恒星天体物理
2016-10-20 v1
摘要
我们研究了硅原子模型的可靠性以及非局部热动平衡（NLTE）对近红外（near-IR）H波段中中性硅（Si I）谱线形成的影响。我们利用阿帕奇点天文台银河系演化实验（APOGEE）的高分辨率H波段光谱以及光学光谱，在局部热动平衡（LTE）和NLTE条件下，推导了13颗样本星的硅丰度差值。我们发现，当包含NLTE效应时，同一颗星由H波段与光学谱线推导的硅丰度差异小于0.1 dex，且NLTE降低了多数样本星H波段光谱的谱线间散度。这些结果表明我们的硅原子模型适用于研究H波段硅线的形成。我们的计算显示，Si I H波段谱线的NLTE修正为负值，即在LTE下最终硅丰度会被高估。强线的修正依赖于表面重力，且对巨星往往更大，在样本中可达约-0.2 dex，在APOGEE目标的极端情况下可达约-0.4 dex。因此，由H波段Si I谱线推导硅丰度时应包含NLTE效应，尤其在仅有强线可用的情况下。
引用
@article{arxiv.1610.05888,
title = {NLTE Analysis of High Resolution H-band Spectra. I. Neutral Silicon},
author = {Junbo Zhang and Jianrong Shi and Kaike Pan and Carlos Allende Prieto and Chao Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.05888},
year = {2016}
}