Drell-Yan 过程中的次领头阶与夸克离壳效应及内禀 $k_T$

我们计算了次领头阶微扰 QCD 以及夸克横向运动和离壳效应对 Drell-Yan 过程截面的影响。通过研究这些方法下截面随 $s \to \infty$ 的行为，我们发现夸克离壳效应和内禀 $k_T$ 的效应参数化了高次扭的贡献。具体而言，部分子的离壳性产生了领头阶截面的部分 K 因子型修正。发现在目前可达到的能量下，高次扭对 Drell-Yan 对的 $p_T$ 谱的贡献很大。此外还研究了夸克离壳分布随硬标度的演化。