Ba-Ce(M)-O 体系（M = Ga, In）中的新相
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
在 1700 K 的空气环境中，合成了掺杂 In 和 Ga 的新型及已知铈酸钡。合成是通过 BaCO3、CeO2、In2O3 或 Ga2O3 的固相反应进行的。使用 DRON-UM-1 和 STADI-P 衍射仪及单色 CuKa 辐射，获得了粉末样品的 X 射线衍射图谱。获得了以下新相的组成：BaCe1-xGaxO3-d (x = 0.05; 0.1) 和 BaCe1-xInxO3-d (x = 0.25, 0.5)。它们结晶于正交空间群 Pnma 中。通过全谱 Rietveld 方法计算了晶格参数。基于文献数据分析，可以假定从 BaCeO3 到 BaCe1-xGaxO3-d (BaCe1-xInxO3-d) 容忍因子的增加，导致了 Ga 和 In 掺杂铈酸钡的稳定性和输运性质的增加。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507563,
title = {New phases in the Ba-Ce(M)-O systems (M = Ga, In)},
author = {N. I. Matskevich and T. I. Chupahina and G. V. Bazuev and F. A. Kuznetsov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507563},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 2 figures, 3 tables