超对称标准模型中中性子暗物质的新约束

我们在超对称标准模型（SSM）中研究中性子暗物质的前景，包括来自普适软超对称破缺和电弱对称性辐射破缺的约束。后者通过使用单圈Higgs有效势来强制执行，该势自动给出单圈修正的Higgs玻色子质量。我们对允许的五维参数空间进行了详尽搜索，发现中性子遗迹丰度 $\Omega_\chi h^2_0$ 最强烈地依赖于比值 $\xi_0\equiv m_0/m_{1/2}$。对于 $\xi_0\gg1$，遗迹丰度几乎总是太大，而对于 $\xi_0\ll1$ 则相反。对于 $\xi_0\sim1$，在其余参数的广泛范围内，$\Omega_\chi\sim1$。我们还确定，为了可能实现 $\Omega_\chi\sim1$，需要 $m_{\tilde q}\gsim250\GeV$ 和 $m_{\tilde l}\gsim100\GeV$。这些下界比先前在未强制执行辐射破缺时得到的相应下界弱得多。