Gamma 射线暴吸积盘外流中的中微子相互作用

我们检查了从伽玛射线暴吸积盘向外流的物质组成，以确定可能发生什么样的核合成。由于吸积盘表面有大量中微子流出，电子分数将因电中性相互作用而发生变化。我们使用来自吸积盘每个点的详细中微子通量计算外流的电子分数，并研究几种不同的吸积盘模型的轨迹和外流条件。我们发现，只有在具有大量囊禁中微子和反中微子区域的高吸积率吸积盘中，才会出现低电子分数，这有利于制造 r 过程元素。吸积率较低的吸积盘仅有囊禁中微子的显著区域，可产生非常高的电子分数的外流；而最低吸积率的吸积盘几乎没有囊禁，可产生电子分数接近二分之一的外流。