从InAs(001)散射的低能Na$^{+}$的中性化
材料科学
2024-04-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
通过飞行时间谱测量了从富In和富As的InAs(001)表面散射的低能Na离子的中性化概率。发现对于两类表面，从As位点散射的抛射体的中性化概率均大于从In位点散射的抛射体。提出了一种共振电荷转移模型的修正，其中跟随原子结构的冻结等值面与分子动力学和密度泛函理论相结合。这些方法共同表明，从化合物固体材料散射的碱金属抛射体的中性化由多种因素决定，特别是表面原子与电子结构。该模型适用于表面势不均匀的任何体系，例如化合物材料和吸附质覆盖表面。
引用
@article{arxiv.1909.09751,
title = {Neutralization of low energy Na$^{+}$ scattered from InAs(001)},
author = {Haoshan Zhu and Chao Lian and Bryan M. Wong and Jory A. Yarmoff},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.09751},
year = {2024}
}
备注
Needs a major revision