NeuroHammer：在忆阻交叉阵列存储器中诱导比特翻转
新兴技术
2022-06-09 v2
摘要
新兴非易失性存储器（NVM）技术在能效、延迟以及存内计算等特性方面具有独特优势。因此，新兴 NVM 技术被视为未来神经形态平台中计算与存储的理想基底。这些技术需要针对基本的可靠性和安全性问题进行评估。在本文中，我们提出 \emph{NeuroHammer}，一种由存储单元间热串扰引起的 ReRAM 交叉阵列中的安全威胁。我们证明，通过系统性地写入相邻存储单元，可在交叉阵列的 ReRAM 器件中故意诱导比特翻转。我们开发了仿真流程来评估 NeuroHammer 以及物理参数对攻击有效性的影响。最后，我们结合可能的攻击场景讨论了安全性影响。
引用
@article{arxiv.2112.01087,
title = {NeuroHammer: Inducing Bit-Flips in Memristive Crossbar Memories},
author = {Felix Staudigl and Hazem Al Indari and Daniel Schön and Dominik Sisejkovic and Farhad Merchant and Jan Moritz Joseph and Vikas Rana and Stephan Menzel and Rainer Leupers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.01087},
year = {2022}
}