氮化硅平台中的近可见光拓扑边缘态
光学
2024-04-03 v1
摘要
拓扑光子学的演示迄今为止主要局限于红外波长，其中成像技术和低维量子材料的获取都受到限制。在这里，我们设计并制造了氮化硅环形谐振器阵列，以在约780 nm处演示光子拓扑边缘态。我们观察到对应于整数量子霍尔哈密顿量的边缘态，具有针对制造无序的拓扑保护。这一演示将拓扑边缘态的概念扩展到近可见光波段，并为利用丰富的近可见光量子发射器库的非线性和非厄米拓扑光子学铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2404.01432,
title = {Near-Visible Topological Edge States in a Silicon Nitride Platform},
author = {David Sharp and Christopher Flower and Mahmoud Jalali Mehrabad and Arnab Manna and Hannah Rarick and Rui Chen and Mohammad Hafezi and Arka Majumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.01432},
year = {2024}
}
备注
7 pages, 4 figures