铋掺杂TlCl晶体中的近红外发光
光学
2013-02-05 v1 材料科学
摘要
对TlCl:Bi晶体的光谱性质进行了实验和理论研究。观察到两个宽近红外发光带，寿命约为0.25 ms：一个强带在1.18 μm附近，由0.40、0.45、0.70和0.80 μm辐射激发；一个弱带在>1.5 μm处，由0.40和0.45 μm辐射激发。对TlCl晶格中Bi相关中心的计算机模拟表明，Bi^+__V^-(Cl)中心（Tl位上的Bi^+和最近邻阴离子位上的带负电的Cl空位）最有可能负责红外发光。
引用
@article{arxiv.1302.0474,
title = {Near-infrared luminescence in bismuth-doped TlCl crystal},
author = {V. G. Plotnichenko and V. O. Sokolov and D. V. Philippovskiy and E. M. Dianov. I. S. Lisitsky and M. S. Kouznetsov and K. S. Zaramenskikh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.0474},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures