硅基量子光子电路上的近红外 Hong-Ou-Mandel 干涉
光学
2015-06-12 v1 量子物理
摘要
在硅纳米光子定向耦合器中观察到了近红外 Hong-Ou-Mandel 量子干涉，其片上原始可见度达到 90.5%。光谱明亮的 1557 nm 双光子态在周期性极化 KTiOPO4 波导芯片中产生，作为纠缠光子源并由自注入锁定激光泵浦，用于光子统计测量。展示了在通信 C 波段和高折射率对比度硅光子平台中的高效四端口耦合，其与量子干涉可见度的理论预测相符。 examined 了导致剩余量子可见度不完美的因素，并通过关于顺序触发多对双光子贡献的理论分析和可见度补偿技术予以支持，旨在实现可扩展的高比特率量子信息处理和通信。
引用
@article{arxiv.1212.0567,
title = {Near-infrared Hong-Ou-Mandel interference on a silicon quantum photonic circuit},
author = {Xinan Xu and Zhenda Xie and Jiangjun Zheng and Junlin Liang and Tian Zhong and Mingbin Yu and Serdar Kocaman and Guo-Qiang Lo and Dim-Lee Kwong and Dirk R. Englund and Franco N. C. Wong and Chee Wei Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0567},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 6 figures