共面微波谐振器的太赫兹近场纳米显微术
介观与纳米尺度物理
2021-11-03 v2 光学
量子物理
摘要
超导量子电路是领先的量子计算平台之一。为使超导量子计算达到实际重要性，识别并解决导致退相干的材缺陷至关重要。此处，我们使用太赫兹扫描近场光学显微镜（SNOM）探测硅上湿法刻蚀铝谐振器的局域介电性质与载流子浓度，这是超导量子处理器最具特征的组件之一。利用近期开发的矢量校准技术，我们从微波馈线近旁的谱学提取太赫兹介电常数。将提取的介电常数拟合至Drude模型，我们发现刻蚀沟道中的硅具有高于缓冲氧化物刻蚀硅的载流子浓度，并探索了降低载流子浓度的后处理方法。我们的结果表明，太赫兹近场研究可应用于定量评估和识别量子器件中的潜在损耗通道。
引用
@article{arxiv.2106.12907,
title = {Near-Field Terahertz Nanoscopy of Coplanar Microwave Resonators},
author = {Xiao Guo and Xin He and Zach Degnan and Bogdan C. Donose and Karl Bertling and Arkady Fedorov and Aleksandar D. Rakić and Peter Jacobson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.12907},
year = {2021}
}
备注
14 pages, 3 figures. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and AIP Publishing. This article appeared in Applied Physics Letters 119 (9), 091101 and may be found at https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/5.0061078