化合物半导体纳米线中的近场腔光力学耦合
介观与纳米尺度物理
2020-07-01 v1 光学
摘要
III-V 族化合物半导体纳米线是一种极具吸引力的材料，可用于通过嵌入其悬空结构中的波长可调量子结构互连光子、电子与声子的新型混合量子接口。然而，在此类纳米机械元件中，如何通过其微小机械运动探测并操控少量声子是一大挑战。一种解决方案是通过引入“腔光力学”框架将光学腔耦合到纳米线上，但二者典型的尺寸差异成为实现该目标的障碍。在此，我们展示了二氧化硅微球腔与外延生长的 InP/InAs 悬空纳米线之间的近场耦合。倏逝光力学耦合不仅能够借助平衡零差干涉仪精细探测机械运动，还能调控纳米线中的共振频率、线宽、Duffing 非线性和振动轴。将此种腔光力学与外延纳米线工程相结合，为新型量子计量与信息处理开辟了道路。
引用
@article{arxiv.2006.16538,
title = {Near-field cavity optomechanical coupling in a compound semiconductor nanowire},
author = {Motoki Asano and Guoqiang Zhang and Takehiko Tawara and Hiroshi Yamaguchi and Hajime Okamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16538},
year = {2020}
}