掺植硅碳氧化物中铕离子的窄磁光学跃迁

运行于近电信和电信波段的固态自旋光子接口是长距离量子通信和可扩展量子网络的关键资源。然而，其光学跃迁常受到谱位扩散的制约，妨碍了产生协同自旋-光子纠缠。本文展示了将铕掺杂薄膜硅碳（SiC）-on-insulator中实现亚百赫兹甚至亚兆赫兹的均匀线宽磁光学跃迁，后者是工业可扩展量子网络的可行平台。通过在低温下进行高分辨共挭光谱和光谱空穴烧结，我们揭示了两种最佳稳定发射器的晶格位点。我们进一步表征了其光学寿命和磁光学响应，确立了铕掺杂SiC-on-insulator作为面向芯片量子网络的稳健且可扩展平台。