纳米缺陷作为时反演对称性破缺的探针

纳米缺陷如氮空位（NV）中心可作为灵敏且非侵入性的电磁场探针，用于表征材料。我们聚焦NV中心如何探测低维导体中的时反演对称性破缺（TRSB）现象。我们指出，NV中心从$m = \pm 1$自旋态到基态$m = 0$的松弛率差异$\Gamma_{\pm \hat{z}}$直接探测TRSB。该效应源于材料发射的左右极化电磁场波动谱的差异。在量子霍尔体系中，NV中心的磁偶极子（反）与外部场对齐时，经历近乎零的大额外贡献。更一般地，松弛率差异敏感于波矢相关Hall导电率的虚部，可用于确定Hall粘度，从而区分候选分数量子霍尔态并推断TRSB超导体的配对角动量。针对近期实验发现的TRSB叠层扭曲双钙钛矿铜氧化物（BSCCO）片， 我们计算其平均松弛率$\left[\Gamma_{+\hat{z}} + \Gamma_{-\hat{z}}\right]$在$Tc$以下呈现类似Hebel-Slichter的增强。差异$\Gamma_{+\hat{z}} - \Gamma_{-\hat{z}}$亦有此峰，但仅在$Tc$以下且仅于手性d波超导体中为非零。我们给出具体观测估计。