重访 $e^{+}e^{-}$ 湮灭中阈值附近的 $N\bar{N}$ 产生

考虑到近期出现的新实验数据，我们讨论了在过程阈值附近 $e^{+}e^{-}$ 湮灭中产生 $p\bar{p}$ 和 $n\bar{n}$ 对的问题。由于这些新数据中有显著部分是在明显超过阈值的能量下获得的，我们还考虑了描述小距离处 $N\bar{N}$ 对产生振幅的形状因子。描述 $N\bar{N}$ 产生截面在阈值附近急剧依赖关系的有效光学势，由 $S$ 波和 $D$ 波的中心势以及张量势组成。这些势对于 $N\bar{N}$ 对的同位旋 $I=0$ 和 $I=1$ 态有所不同。该光学势很好地描述了 $N\bar{N}$ 散射相移、阈值附近 $e^{+}e^{-}$ 湮灭中 $p\bar{p}$ 和 $n\bar{n}$ 产生的截面、质子与中子的电磁形状因子 $G_{E}$ 和 $G_{M}$，以及过程 $e^{+}e^{-}\to6\pi$ 和 $e^{+}e^{-}\to K^{+}K^{-}\pi^{+}\pi^{-}$ 的截面。