MgB2 磁渗透深度的铜素自旋 relaxivity 研究
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
通过横场铜素自旋 relaxivity（TF-MuSR）方法研究了多晶 MgB2 的磁涡格（VL）。研究了 TF-MuSR 去极化率（与 VL 场分布的二阶矩成正比）随温度和应用磁场变化的特性。低温下 s 值在 Hext = 75 mT 处呈现显著峰值。这种行为表明 VL 受到强制性约束引起的变形，这质疑了以磁渗透深度 lambda(T) 解释低场 TF-MuSR 数据的方法。在更高场（Hext > 0.4 T）时，观察到 sigma 的近似恒定值，符合在伦敦极限下理想 VL 的预期。对 Hext = 0.6 T 处的 TF-MuSR 数据采用双能隙模型进行分析。我们得到 D1 = 6.0 meV（2D1/kBTc = 3.6），D2 = 2.6 meV（2D2/kBTc = 1.6），两个能带的光谱权重相当，以及磁渗透深度在零温下的值 lambda = 100 nm。此外，我们进行了零外场（ZF-MuSR）测量。我们获得证据表明铜素位于低温下位于硼六边形中心周围的环上。铜素在 T > 10 K 时即可扩散。核磁矩可以解释观察到的 relaxivity，未发现电子磁矩的证据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0108431,
title = {Muon-spin-relaxation study of the magnetic penetration depth in MgB2},
author = {Ch. Niedermayer and C. Bernhard and T. Holden and R. K. Kremer and K. Ahn},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0108431},
year = {2009}
}
备注
15 pages, 4 figures