半导体中声子辅助带间隧穿的多尺度模型
介观与纳米尺度物理
2014-07-24 v1
摘要
我们提出了一种与 TCAD 兼容的半导体中声子辅助带间隧穿 (BTBT) 多尺度模型，该模型纳入了材料带隙内复能带的非抛物线性质。该模型被证明能够捕捉硅中沿 、 和 方向电流传输的实测电流 - 电压数据。我们的模型将有助于预测带间隧穿现象，以量化隧道场效应晶体管 (Tunnel FETs) 以及小几何尺寸 MOSFETs 和 FINFETs 中的开态和关态电流。
引用
@article{arxiv.1407.6096,
title = {Multiscale model for phonon-assisted band-to-band tunneling in semiconductors},
author = {Arvind Ajoy and S. E. Laux and Kota V. R. M. Murali and S. Karmalkar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6096},
year = {2014}
}