中文

清洁 ScV$_6$Sn$_6$ 中多个密集相变与多带霍尔响应

强关联电子 2026-06-27 v1
作者: Jonathan M. DeStefano , Elliott Rosenberg , Chaowei Hu , Xiaodong Xu , Jiun-Haw Chu
在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗

摘要

Kagome金属 ScV6_6Sn6_6 作为探索电荷密度波 (CDW) 序与对称性破缺现象之间相互作用的平台而备受关注，其中包括最近报道的中间相以及被归因于反常霍尔效应 (AHE) 的低场霍尔反常。对这两项观测的解释受限于先前生长方法所达到的有限样品质量，该方法生长的晶体面内剩余电阻率比 (RRR) 至多约为 ≈\approx9。在此，我们报告了一种对助熔剂生长方法的简单改进，使生长出的 ScV6_6Sn6_6 单晶的 RRR 超过 50，是先前报道最高值的五倍多，并利用这一扩展的迁移率范围重新审视了 CDW 相的对称性与磁输运。我们分辨出在 RRR ≈4\approx 4 的尖锐阈值之上、紧邻 TCDWT_{CDW} 处出现的一系列密集相变，并通过弹阻效应证明该中间相破坏了母晶格的三重旋转对称性。我们考察了整个 RRR 范围内的母相样品以及 Cr 掺杂样品的霍尔响应，得出结论：其与内禀 AHE 在定量上不一致，反而可以通过涉及由量子振荡确定的微小、高迁移率口袋的常规多带输运来解释。这些结果细化了 ScV6_6Sn6_6 的对称性破缺图景，并确立了系统迁移率调控作为在 kagome CDW 系统中区分内禀 AHE 与多带霍尔贡献的诊断手段。

关键词

kagome金属 电荷密度波 反常霍尔效应 多带输运 对称性破缺 磁输运

引用

@article{arxiv.2606.29048,
  title  = {Multiple closely spaced transitions and multi-band Hall response in clean ScV$_6$Sn$_6$},
  author = {Jonathan M. DeStefano and Elliott Rosenberg and Chaowei Hu and Xiaodong Xu and Jiun-Haw Chu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2606.29048},
  year   = {2026}
}